Rapidus、日本で初めて量産対応EUV露光装置「NXE:3800E」のIIMへの設置作業を開始
Rapidus株式会社(本社:東京都千代田区麹町4丁目1番地、代表取締役社長:小池淳義)は本日、北海道・千歳市で建設中の最先端半導体の開発および生産を行う「IIM*-1」に、蘭ASML社製のEUV露光装置を搬入し、設置作業を開始したことを発表しました。同日、これを記念して、新千歳空港ポルトムホールにて記念式典が執り行われました。
最先端半導体の量産に対応したEUV露光装置の導入は、日本初となります。また、IIM-1には、これからEUV露光装置を皮切りに、2nm世代半導体を実現するための多くの半導体製造装置および搬送システムが導入されることになります。
*IIM…Innovative Integration for Manufacturingの略語
EUVリソグラフィは、2nm世代半導体を実現する上で重要な技術の一つです。特にリソグラフィ工程は、2nm世代のGAA(ゲートオールアラウンド)構造を形成する要となる工程です。2nm以前の製造プロセスでは、ArF(193nm)液浸露光技術が最先端でしたが、2nm世代以降ではEUV(13.5nm)による短波長化が必須になるとされています。しかし、EUVリソグラフィ技術では、今までとは異なる方式の光源、光学系、フォトマスクが採用されることになります。今回導入されるASML社のEUV露光装置は、反射型のフォトマスク、ミラーレンズを用い光学系を採用。位置合わせとスキャンを別々のステージで行うTWINSCANプラットフォームを採用し、微細化に対応しながら生産性を高めることを実現しています。
2025年4月には、IIM-1においてパイロットラインの稼働が開始されます。全ての製造装置において枚葉プロセスを導入し、新しい半導体ファウンドリーサービスRUMS(Rapid and Unified Manufacturing Service)の構築を進めていきます。
【Rapidus株式会社について】
Rapidus株式会社は、世界最先端のロジック半導体の開発、製造を目指す企業です。設計、ウェーハ工程、3Dパッケージなどのサイクルタイム短縮サービスの開発・提供によって、新産業創出を顧客と共に推進していきます。
半導体を通して人々を幸せに、豊かに、人生を充実したものにするために。私たちは、挑戦し続けます。
本社:東京都千代田区麹町4丁目1番地
設立:2022年8月10日
経営陣:取締役会長 東哲郎、代表取締役社長 小池淳義
事業内容:半導体素子、集積回路等の電子部品の研究、開発、設計、製造及び販売等
資本金等:73億4,600万円(2022年11月時点。資本準備金の額を含む。)
<報道関係者の問い合わせ先>
クレアブ株式会社
犬塚直哉
Email:ninuzuka@kreab.com
八木美希
Email:myagi@kreab.com