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UPDATE: 2024.12.18
Rapidus、日本で初めて量産対応EUV露光装置「NXE:3800E」のIIMへの設置作業を開始
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UPDATE: 2024.12.18
Rapidus begins installation of Japan’s first NXE:3800E EUV lithography machinery for semiconductor mass production
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UPDATE: 2024.12.11
Rapidus、AIおよびHPC向け
最先端2nm半導体設計ソリューションでケイデンスと協業
~2nm GAA BSPDN技術に対応したAIドリブンのリファレンス・フローと インターフェイスおよびメモリIPに関する協業~
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UPDATE: 2024.12.11
Rapidus Collaborates with Cadence on Leading-Edge 2nm Semiconductor Solutions for AI and HPC Applications
Collaboration spans interface and memory IP utilizing 2nm gate-all-around, BSPDN technology and AI-driven reference flows to facilitate the development of advanced, energy-efficient chips
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UPDATE: 2024.12.11
Rapidus、半導体の設計期間の短縮に向けてシノプシスと協業
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UPDATE: 2024.12.11
Rapidus Collaborates with Synopsys to Shorten Semiconductor Design Cycles
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UPDATE: 2024.12.10
IBM ResearchとRapidus、国際会議IEDM 2024で共著論文が採択
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UPDATE: 2024.12.10
IBM Research and Rapidus co-authored paper accepted at IEDM 2024
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UPDATE: 2024.12.06
Rapidus、『SEMICON Japan 2024』に出展
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UPDATE: 2024.12.03
Rapidus半導体製造工場の排水に関する協定の締結について
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