NEDO、Rapidusの「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発」、および「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」の2025年度の計画・予算を承認

Rapidus株式会社（本社：東京都千代田区麹町4丁目1番地、代表取締役社長兼CEO：小池淳義）は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）から、「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発 事業／先端半導体製造技術の開発（委託）」における「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発」、および「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」の2025年度の計画と予算が承認されたことをお知らせします。

「日米連携に基づく2nm 世代半導体の集積化技術と短TAT 製造技術の研究開発」は、2022年11月に次世代半導体の研究開発プロジェクトとして採択されました。半導体製造で前工程に関連する同プロジェクトに基づき、Rapidusは北海道千歳市で製造拠点IIM（イーム・Innovative Integration for Manufacturing）の建設、米IBM社へのエンジニア派遣による2nm世代のロジック半導体の量産技術開発を引き続き行い計画通り目標性能を達成するとともに、EUV露光装置をはじめとする製造装置のIIMへの設置、クリーンルーム稼働開始などにより、2024年度の目標を達成しました。

また、「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」は2024年3月に採択されました。2nm世代の半導体を用いたパッケージの大型化及び低消費電力化を実現する実装量産技術・設計に必要なデザインキット、チップレットのテスト技術の確立を目的に、チップレットパッケージの設計・製造技術の開発を行っております。半導体製造で後工程に関連する同プロジェクトに基づき、米IBMや独研究機関のFraunhofer、シンガポールの研究機関Ａ⋆STAR IMEとの国際連携による開発を進めました。これらの連携による成果として、2024年度には基本プロセスフローの決定および装置の選定を完了しました。また、北海道千歳市のセイコーエプソン株式会社千歳事業所内に、半導体後工程の研究開発拠点「Rapidus Chiplet Solutions（RCS）」の設置を決め、昨年10月から稼働の準備を行っています。

今年度の計画・予算の承認により、前工程分野では設置完了した製造装置によって、4月からパイロットラインの立ち上げを開始します。今後、300mmウェーハへの2nm GAA（ゲートオールアラウンド）トランジスタ試作開発を進めるとともに、先行顧客向けにPDK（Process Design Kit）をリリースし、顧客によるプロトタイピングが開始できる環境を整えます。

後工程の分野では今年度、RCSにおいて4月から製造装置導入を開始し、量産化技術確立のためのパイロットライン構築を行います。また、RDL（Redistribution Layer）インターポーザ開発、3Dパッケージ技術、最新の後工程技術に対応したADK（Assembly Design Kit）の構築推進、品質管理手法KGD（Known Good Die）の選別フローの開発を進めていきます。

Rapidus株式会社　代表取締役社長兼CEO　小池 淳義のコメント

「Rapidusではこれまでに製造拠点IIMの建設が順調に進み、昨年度末までにパイロット稼働開始に必要な半導体製造装置の設置を完了させることができました。これは偏に経済産業省、NEDO、北海道や千歳市をはじめとする皆様の多大なるご協力によるものであり、この場をお借りして心より感謝申し上げます。今回のNEDOプロジェクトの計画・予算の承認によって、4月1日からパイロットラインの立ち上げを開始し、2027年を目標としている量産開始に着実につなげていきたいと思います。」

【Rapidus株式会社について】

Rapidus株式会社は、世界最先端のロジック半導体の開発、製造を目指す企業です。設計、ウェーハ工程、3Dパッケージなどのサイクルタイム短縮サービスの開発・提供によって、新産業創出を顧客と共に推進していきます。半導体を通して人々を幸せに、豊かにし、人生を充実したものにする。そのために、私たちは挑戦し続けます。

＜報道関係者の問い合わせ先＞

クレアブ株式会社

荒木美恵子
Email：maraki@kreab.com

八木美希
Email：myagi@kreab.com